IGBT产品真空焊接炉

　　真空回流焊 正负压交替焊接工艺空洞率低至1%以下，通过自主研发创新正负压交替焊接+压焊系统焊接工艺,能有效控制空洞率大功率LED灯焊接低空洞率

　　焊接温度：H型真空共晶炉实际焊接温度≤400℃。真 空 度：极限真空度≤10 Pa 工作真空50Pa-200Pa。有效焊接面积：≤600mm×250mm(3层);≤500mm×300mm(5层);≤560mm×430mm(6层)

　　炉膛高度：≤100mm。加热方式：采用底部红外辐射加热+顶部红外辐射加热，热板采用半导体级石墨平台，石墨平台长期使用不易变形，而且具有很高导热性，使热板表面温度更加均匀。

　　温度均匀性：有效焊接面积内≤±2%。升温速率：石墨加热平台升温速率120℃/min。真空共晶炉配置了上加热，提高加热效率的同时，使平台温度更加均匀，提高焊接一致性及质量。冷却速率：冷却速率100℃/min(空载温-200℃范围)。

　　石墨加热平台：采用气冷+水冷相结合的冷却方式，实现加热板的快速冷却，提高降温速率，并且实现在降温过程中温差过大造成器件烧结不良。

　　我公司生产的IGBT真空焊接炉是使用真空来达到无空洞焊点，能完全满足研发部门的需求，并适用于小批量生产。主要针对大规模cell管芯、SMT器件、电力电子器件、IGBT、SRR器件的真空焊接。